臺積電國產(chǎn)3nm！聯(lián)發(fā)科首款旗艦芯片成功流片

近日，聯(lián)發(fā)科與臺積公司聯(lián)合宣布，聯(lián)發(fā)科首款采用臺積公司3納米制程生產(chǎn)的天璣旗艦芯片開發(fā)進展順利，已成功流片，并計劃明年量產(chǎn)。

聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理陳冠州表示：“聯(lián)發(fā)科在拓展全球旗艦市場的策略上，致力于采用全球最先進的技術為用戶打造尖端科技產(chǎn)品，提升及豐富大眾生活。臺積電穩(wěn)定且高品質的制造能力，讓聯(lián)發(fā)科在旗艦芯片上的優(yōu)異設計得以充分展現(xiàn)，以高性能、高能效且品質穩(wěn)定的最佳芯片方案提供給全球客戶，為旗艦市場帶來前所未有的用戶體驗。”

臺積公司的3納米制程技術不僅為高性能計算和移動應用提供完整的平臺支持，還擁有更強化的性能、功耗以及良率。

相較于5納米制程，臺積公司3納米制程技術的邏輯密度增加約60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。