機械硬盤由于本身的物理架構(gòu)問題,導(dǎo)致其體積重、不抗震、讀寫慢、響應(yīng)速度低等弊端,成為PC性能發(fā)展的一大瓶頸。相比較而言,NAND閃存的體積小、更抗震、數(shù)據(jù)讀取速度快,數(shù)據(jù)存儲也更為安全。
不過,早期的閃存由于原材料較貴,單位容量比硬盤更貴。隨著像三星等上游Flash廠商技術(shù)不斷突破,如今,閃存的價格正在快速下降,同時其制程也在不斷提高。不久的將來,閃存的價格將與普通硬盤處在同一級別,屆時閃存將取代硬盤成為常規(guī)存儲。
但是正在大家期盼SSD價格一路下滑時,它卻觸底反彈。據(jù)ChinaFlashMarket報價統(tǒng)計,自2016年5月下旬SSD漲價以來,120GB TLC SSD價格已從25美元上漲至37美元,漲幅達48%;240GBTLC SSD價格已從44美元上漲至66美元,漲幅高達50%。
價格暴漲的SSD直接導(dǎo)致固態(tài)硬盤推進速度變緩,原本在2016年預(yù)估滲透率從40%-50%下調(diào)到35%,用戶購買大容量SSD意愿也大幅降低。那么究竟是什么原因?qū)е耂SD價格上漲呢?原因有兩方面。
過渡到3D NAND技術(shù)后良率不高
固態(tài)硬盤絕大部分成本來自于NAND Flash,為此上游NAND廠商就通過升級NAND Flash來降低成本。其中三星是最早成功量產(chǎn)3D NAND的廠商,隨后Intel、美光、東芝等廠商也開始全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3D NAND,但由于3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題,價格也因此明顯上漲。
何為3D NAND Flash?
從技術(shù)結(jié)構(gòu)上講,3D NAND通過立體堆疊的方式使單位面積承載更大的存儲容量,2D NAND好比是平房,3D NAND則是高樓,建筑面積成倍提升,理論上可以無限堆疊。
目前2D NAND工藝逼近物理極限,單位面積存儲容量難以繼續(xù)提升。3D NAND解決了由于晶圓物理極限而無法進一步擴大單die可用容量的限制,進一步推動了存儲顆粒總體容量的飆升。
移動設(shè)備對Flash需求增加
隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,用戶對智能手機等移動設(shè)備需求與日俱增。每年的Q3季度都是智能機銷售旺季,加上2016年的iPhone新品最低容量從32GB起跳,最高提升至256GB,同時帶動了其他智能機品牌的跟進,大容量智能手機刮起了一陣旋風(fēng),加劇了NANDFlash供應(yīng)端的壓力。
綜上所述,NAND Flash市場缺貨主要是因為上游廠商向3D技術(shù)轉(zhuǎn)換導(dǎo)致2D NAND Flash產(chǎn)出減少,加上智能移動設(shè)備需求增長,更是雪上加霜。不過近一年上游廠商產(chǎn)能調(diào)整過渡期,在2017年下半年有望出現(xiàn)緩和跡象。一方面三星順利過渡到64層3D NAND技術(shù),東芝也開始在下半年大規(guī)模量產(chǎn)3D NAND Flash,屆時市場供貨緊缺的市況將有望得到緩解。
責(zé)任編輯:海凡
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