三星電子今天宣布,開始量產業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別(并不是10nm,預計是14~18nm之間)的DRAM芯片。
其中,單芯片容量8Gb(1GB)。相較1x-nmm,工藝層面上,性能提升10%,功耗和封裝面積減小,能效提升15%。
同時,陣腳帶寬3600Mbps起(可以理解為DDR4-3600),也比1x-nm時代的DDR-3200進步。
1y-nm工藝,三星沒有引入EUV,而是通過加入高靈敏度的單元數據傳感系統和減少氣隙實現。
與此同時,三星表示,也會進一步加快依賴DRAM技術的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形態(tài)存儲芯片的開發(fā)工作。
目前,AMD/Intel已經驗證通過1y-nm內存。
此舉還意味著,1x-nm以及更老的工藝的內存成本和最終價格將有望下探。
責任編輯:金林舒
特別聲明:本網登載內容出于更直觀傳遞信息之目的。該內容版權歸原作者所有,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責。如該內容涉及任何第三方合法權利,請及時與ts@hxnews.com聯系或者請點擊右側投訴按鈕,我們會及時反饋并處理完畢。
- 真全面屏可期!曝三星已搞定屏下攝像頭技術2021-06-15
- 讓傳統文化活起來!騰訊與三星堆實現新文創(chuàng)戰(zhàn)略合作2021-05-29
- 已故三星會長遺產稅高達699億元 三星會長李健熙遺產繼承情況2021-04-28
- 最新科技數碼 頻道推薦
-
ios15描述文件怎么下載?ios15描述文件下載入2021-06-16
- 進入圖片頻道最新圖文
- 進入視頻頻道最新視頻
- 一周熱點新聞
已有0人發(fā)表了評論