中國半導(dǎo)體工藝技術(shù)任重道遠(yuǎn)：僅一篇論文入選國際會(huì)議

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IBM昨天聯(lián)合三星、Globalfoundries宣布了全球首個(gè)5nm半導(dǎo)體工藝，性能提升40%，功耗降低75%。IBM這則消息就是在VLSI大規(guī)模集成電路會(huì)議上宣布的，這也是國際級(jí)的半導(dǎo)體會(huì)議。這次會(huì)議也暴露了我們?cè)诎雽?dǎo)體制造技術(shù)依然沒有什么存在感，雖然總計(jì)提交了18篇論文，但入選的只有1篇，僅占全部入選論文的1/64，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于美國、日本、歐洲、韓國、新加坡及臺(tái)灣地區(qū)。

2017年的VLSI國際會(huì)議是在日本東京舉行的，昨天正式開幕，會(huì)期8天，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)公司、科研機(jī)構(gòu)匯聚一堂討論未來技術(shù)的發(fā)展。日本PCWatch網(wǎng)站報(bào)道了一些有關(guān)大會(huì)論文的數(shù)據(jù)，提交及入選的論文一定程度上可以代表這個(gè)公司及所在國在該行業(yè)的地位。

提交申請(qǐng)的論文數(shù)

這次大會(huì)收到了16個(gè)國家和地區(qū)的160篇論文投稿，包括印度、沙特、阿聯(lián)酋等國家，其中美國有36篇，位居第一，歐洲區(qū)有34篇，不過這并不算一個(gè)國家，臺(tái)灣地區(qū)有26件，中國和韓國各有18篇論文申請(qǐng)，這么看的話大陸的論文申請(qǐng)數(shù)據(jù)還是挺多的，至少說明了國內(nèi)參與的愿望還是挺強(qiáng)烈的，日本也才16篇，在亞洲位居第四。

最終被采納的論文有64篇，中國入圍1篇

160篇論文中有64篇最終被大會(huì)采納，其中美國有15篇，日本有10篇，韓國和臺(tái)灣地區(qū)各有8篇入選。對(duì)中國來說，提交的18篇論文中只有1篇被采納，只占全部論文中的1/64。

綜觀十年來的統(tǒng)計(jì)結(jié)果，中國被采納的論文數(shù)量一直不多，2014年最多也就是3篇，2015年沒有，2016年也是1篇。雖然說被采納的論文跟這個(gè)國家或者地區(qū)的半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力不能絕對(duì)掛鉤，但被采納的論文越多，總體上依然能證明這個(gè)國家/地區(qū)的實(shí)力的，入圍較多的美國、歐洲、韓國、韓國都是半導(dǎo)體制造工藝先進(jìn)的國家和地區(qū)。

具體入圍的單位和論文數(shù)量

具體來看，這次入圍的64篇論文中，IMEC（比利時(shí)微電子中心）有7篇論文入選，藍(lán)色巨人IBM有6篇論文入選，三星也有6篇，Globalfoundries是5篇，法國CEA-LETI學(xué)院是4篇，TSMC也有3篇，其他入圍的也是一些科研機(jī)構(gòu)或者學(xué)校，包括臺(tái)灣交通大學(xué)、日本東京大學(xué)、新加坡國家科學(xué)院、美國普渡大學(xué)、圣母大學(xué)等等。

第一天討論的話題

第一天的日程中，這些全球頂尖的半導(dǎo)體公司、學(xué)院討論的都是未來的5nm工藝、Ge、III-V金屬材料、10nm、2.5D/3D封裝、芯片內(nèi)緩存等技術(shù)，無一不是探討有可能改變未來半導(dǎo)體工藝發(fā)展的新技術(shù)、新材料。

目前國內(nèi)在半導(dǎo)體工藝上發(fā)展最先進(jìn)的還是28nm，其中高性能的28nm HKMG工藝也只才剛開始，比三星、Intel、TSMC要落后兩三代。前年在比利時(shí)國王訪華時(shí)，國內(nèi)的中芯國際、華為與高通、SEMI簽署了合作協(xié)議，在IMEC的幫助下開發(fā)14nm FinFET工藝，預(yù)計(jì)在2020年前量產(chǎn)。

考慮到我們?cè)诎雽?dǎo)體工藝上落后這么多年了，想很快追上是不可能的，好在國家現(xiàn)在也重視起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)了，核高基等項(xiàng)目已經(jīng)作出了部署，前幾天核高基項(xiàng)目負(fù)責(zé)人還表示取得了重大突破，14nm工藝將在明年量產(chǎn)，未來還會(huì)支持7nm、5nm工藝研發(fā)，希望這些表態(tài)不是放衛(wèi)星。